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PolarHT TM HiPerFET IXFR 102N30P
Power MOSFET
(Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
V DSS = 300 V
I D25 = 60 A
R DS(on) ≤ 36 m ?
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
300
300
± 20
V
V
V
ISOPLUS247 (IXFR)
E153432
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 30
60
V
A
G
D
S
(Isolated Tab)
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
250
A
I AR
T C = 25 ° C
60
A
G = Gate
D = Drain
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
60
2.5
10
250
mJ
J
V/ns
W
S = Source
Features
l
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
T L
V ISOL
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
300
2500
° C
V~
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
F C
Weight
Mounting force
22..130/5..29
5
N/lb
g
Advantages
l
Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
Space savings
High power density
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
300
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
2.5
5.0
± 200
25
250
V
nA
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 51 A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
36
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99247E(12/05)
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